Версия для печати
Технические характеристики CD4015BM96

Корпус	16-SOIC N
Корпус (размер)	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Напряжение питания	3 V ~ 18 V
Функция	Serial to Parallel
Число битов на элемент	4
Число элементов	2
Тип выхода	Standard
Логический тип	Shift Register
Серия	4000B
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Output Type	Standard

CD4015B (Регистры) CMOS Dual 4-Stage Static Shift Register Также в этом файле: CD4015BM96 Производитель: Texas Instruments //www.ti.com CD4015BM96 datasheet 521.59Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Сдвиговые регистры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CF-0.125-150K 5%		Резистор углеродистый	CHINA
		CF-0.125-150K 5%		Резистор углеродистый			1.32  >500 шт.   0.44
		CF-0.125-51K 5%		Резистор углеродистый	CHINA
		CF-0.125-51K 5%		Резистор углеродистый			1.32  >500 шт.   0.44
		CF-0.25-1.1K 5%		Резистор углеродистый	CHINA
		CF-0.25-1.1K 5%		Резистор углеродистый			1.12  >100 шт.   0.56
		CR-0.25-10К 5%			CHINA
		CR-0.25-10К 5%					1.44  >500 шт.   0.48
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		345	31.50
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	35.70
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	3 083	36.00
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	40.34
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"