Версия для печати
Технические характеристики ECAP 1/50V 0511 105C SH

Производитель	Yageo Corporation
Количество в упаковке	500 шт.
Вес	0.428 г
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	50 В
Ток утечки	3.5 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.12
Максимальный ток пульсаций	12 А
Шаг выводов	2 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 5x11
Рабочая температура	-40...105 °C
Код производителя	SH050M1R00B2F-0511
	For General
Емкость	1 мкФ
Серия	SH
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		RC1206JR-0756R		Резистор SMD 1206 56 Ом 0.125/0.25Вт 5%	PHYCOMP
		RC1206JR-0756R		Резистор SMD 1206 56 Ом 0.125/0.25Вт 5%	YAGEO
		RC1206JR-0756R		Резистор SMD 1206 56 Ом 0.125/0.25Вт 5%	PHYCOMP
		RC1206JR-0756R		Резистор SMD 1206 56 Ом 0.125/0.25Вт 5%	YAGEO
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	FAIR
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	GENERAL INSTRUMENT
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	GENERAL SEMICONDUCTOR
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	GENERAL SEMI INSTRUMENTS
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	SMK
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	FAIRCHILD
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	FAIRCHILD
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	GENERAL INSTRUMENT	833
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	GENERAL SEMI INSTRUMENTS	871
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	GENERAL SEMICONDUCTOR	6 332
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	Fairchild Semiconductor
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	ONS
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	GOOD-ARK	800	13.23
		SB160		Диод Шоттки Vr=60V, Ifav=1A, Ifsm=150A,Vf=0.70V	WUXI XUYANG
		SH050M0100B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В	YAGEO
		SH050M0100B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH050M0100B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH050M0100B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В
		КТ315Г ЗЕЛЕН.		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В	ТОМСК	104	6.30
		КТ315Г ЗЕЛЕН.		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В	НАЛЬЧИК
		КТ315Г ЗЕЛЕН.		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
		КТ814В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		926	23.00
		КТ814В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	2 228	25.12
		КТ814В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ814В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	61 512	33.60
		КТ814В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ814В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ814В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	САРАНСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"