SPW35N60C3
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | CoolMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 21.9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 34.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1.9mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V |
| Power - Max | 313W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SPW35N60C3 Coolmos Power Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000UF X 25V CD11 | CHANG |
|
|
|||||
| IR1150S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IR1150S |
|
220.32 | ||||||
| IR1150S | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
 |
 |
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой | 3 | 346.72 | ||
|
|
|
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой | Vishay/Siliconix |
|
|
|
 |
|
IRFP22N60K |
|
N-MOS 600V, 22A, 370W | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFP22N60K |
|
N-MOS 600V, 22A, 370W |
|
|
||
 |
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R |
|
320.00 | ||
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R | ST MICROELECTRO |
|
|
