Версия для печати
Технические характеристики КС518А1

Мощность рассеяния,Вт	0.34
Минимальное напряжение стабилизации,В	16
Номинальное напряжение стабилизации,В	18
Максимальное напряжение стабилизации,В	19
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.1
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1.5
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	1
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	45
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd-3a
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	CHINA
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	BOURNS
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом			25.08
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	BARONS
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	BOURNS
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	Bourns Inc
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	КИТАЙ
		HER305		Диод 3А, 400В	DC COMPONENTS
		HER305		Диод 3А, 400В		1	27.60
		HER305		Диод 3А, 400В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER305		Диод 3А, 400В	YJ	4 332	9.13
		HER305		Диод 3А, 400В	КИТАЙ
		HER305		Диод 3А, 400В	YANGJIE
		HER305		Диод 3А, 400В	YANGJIE (YJ)
		HER305		Диод 3А, 400В	MDD	30	14.34
		HER305		Диод 3А, 400В	LGE	1 760	9.84
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	RECTIFIER
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	VISHAY
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A			238.00
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	IXYS
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	STMicroelectronics
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INFINEON
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	ST MICROELECTRONICS
		КД247Д				2 013	4.38
		КД247Д			НПП ТЭЗ
		КД247Д			ТОМИЛИНО
		КД247Д			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД247Д			СЗТП	12	13.44
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		10 879	10.50
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ	1 434	4.00
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	10 628	12.74
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	4 320	25.58
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО	266	20.40

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"