Версия для печати
Технические характеристики КС518А1

Мощность рассеяния,Вт	0.34
Минимальное напряжение стабилизации,В	16
Номинальное напряжение стабилизации,В	18
Максимальное напряжение стабилизации,В	19
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.1
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1.5
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	1
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	45
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd-3a
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	CHINA
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	BOURNS
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом			25.08
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	BARONS
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	BOURNS
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	Bourns Inc
		3296X-1-201		Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом	КИТАЙ
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	RECTIFIER
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	VISHAY
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A			238.00
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	IXYS
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	STMicroelectronics
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INFINEON
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	ST MICROELECTRONICS
		К78-2-250-2.2 10%		Плёночный конденсатор 2.2 мкФ 250 В		1	80.00
		К78-2-250-2.2 10%		Плёночный конденсатор 2.2 мкФ 250 В	ПОЛИКОНД
		КД247Д				2 293	4.38
		КД247Д			НПП ТЭЗ
		КД247Д			ТОМИЛИНО
		КД247Д			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД247Д			СЗТП	12	13.44
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		11 352	10.50
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	10 612	9.10
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП	800	20.40
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	4 720	25.58

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"