|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
|
9 600
|
1.30
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
HOTTECH
|
51 165
|
7.05
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
1
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
SMCMICRO
|
1 625
|
6.30
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
LGE
|
4 471
|
7.71
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
MUR
|
13 424
|
14.04
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
MURATA
|
2 973
|
21.49
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/25V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С
|
|
|
28.00
|
|
|
|
ECAP 470/25V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/25V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/25V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С
|
JB
|
|
|
|
|
|
IRLR3717 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLR3717 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
38
|
|
|
|
|
IRLR3717 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
|
|
|
|
|
IRLR3717 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 945
|
16.80
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
13.20
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
6 937
|
17.93
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMI
|
4 731
|
17.39
|
|