FQP34N20L

Версия для печати

Технические характеристики FQP34N20L

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 15.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	72nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3900pF @ 25V
Power - Max	180W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP34N20L (MOSFET)

200V LOGIC N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP34N20L datasheet
676 Кб