2Д219Б
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки, для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки, для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2Д202К | 801 | 43.35 | |||||
|
|
2Д202К | СТАРТ |
|
|
||||
| STD5NM60-1 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STD5NM60-1 |
|
|
||||||
| STD5NM60-1 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
 |
КТ807Б | 51 | 18.00 | |||||
|
|
КТ807Б | УЛЬЯНОВСК |
|
|
||||
| МЛТ-2-330 КОМ 5% |
|
6.00 | ||||||
| МЛТ-2-33К 5% | 8 | 10.00 |
