|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
АОТ128Б |
|
|
|
216
|
104.88
|
|
|
|
АОТ128Б |
|
|
ПРОТОН
|
1 036
|
151.20
|
|
|
|
АОТ128Б |
|
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
АОТ128Б |
|
|
ИЗЛУЧАТЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
АОТ128Б |
|
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
АОТ128Б |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС119А |
|
Стабистор 1.9В, 100мА, 0.26Вт
|
|
1 618
|
15.12
|
|
|
|
КС119А |
|
Стабистор 1.9В, 100мА, 0.26Вт
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КС119А |
|
Стабистор 1.9В, 100мА, 0.26Вт
|
НОВОСИБИРСК
|
231
|
21.00
|
|
|
|
КС119А |
|
Стабистор 1.9В, 100мА, 0.26Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС119А |
|
Стабистор 1.9В, 100мА, 0.26Вт
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КС191Ж |
|
стекло
|
|
3 703
|
7.40
|
|
|
|
КС191Ж |
|
стекло
|
НЗПП
|
1 080
|
39.26
|
|
|
|
КС191Ж |
|
стекло
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС191Ж |
|
стекло
|
СЗТП
|
40
|
56.70
|
|
|
|
КС191Ж |
|
стекло
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
397
|
37.80
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
911
|
22.68
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
800
|
39.90
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 479
|
16.80
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 891
|
30.36
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
6 570
|
37.80
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|