FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 9.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
Power - Max | 57W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
Корпус | I-Pak |
IRFU5505 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
16K1-B1K,L-20KC | SONG HUEI ELEC | |||||||
IRF640NPBF | Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF640NPBF | Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF640NPBF | Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ... | INFINEON | 3 720 | 75.77 | ||||
IRF640NPBF | Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ... | 680 | 35.38 | |||||
PIC16F628-04/P | Микроконтроллер 2Kx14 Flash, 16I/O, 4MHz | MICRO CHIP | ||||||
PIC16F628-04/P | Микроконтроллер 2Kx14 Flash, 16I/O, 4MHz | 312.56 | ||||||
PIC16F628-04/P | Микроконтроллер 2Kx14 Flash, 16I/O, 4MHz | Microchip Technology | ||||||
PIC16F628-04/P | Микроконтроллер 2Kx14 Flash, 16I/O, 4MHz | США | ||||||
PIC16F628-04/P | Микроконтроллер 2Kx14 Flash, 16I/O, 4MHz | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА | ||||||
ППБ-3А - 3ВТ 1 КОМ 10% | ||||||||
ППБ-3А-3ВТ 1.5 КОМ 5% |
|