Версия для печати
Технические характеристики DS1250AB-70IND+
| Корпус | 32-EDIP |
| Корпус (размер) | 32-DIP Module (600 mil), 32-EDIP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Скорость | 70ns |
| Объем памяти | 4M (512K x 8) |
| Тип памяти | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Формат памяти | RAM |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | TDA8139
Стабилизатор напряжения 5.1V/1A, 2.8-16V/1A, RESE
Купить |
 | MAX333ACPP+
Низковольтный 4-канальный SPDT аналоговый CMOS коммутатор
Купить |
 | FQP33N10
100v n-channel mosfet
Купить |
