Версия для печати
Технические характеристики DS1250AB-70IND+
| Корпус | 32-EDIP |
| Корпус (размер) | 32-DIP Module (600 mil), 32-EDIP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Скорость | 70ns |
| Объем памяти | 4M (512K x 8) |
| Тип памяти | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Формат памяти | RAM |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | ПГК-5П2Н
Поворотные галетные переключатели типа ПГГ Количество плат от 1 до 5, положений от 2 до 11, направлений от 1 до 20. Конец оси в 2 вариантах: с прямой ...
552.00 руб Купить |
 | М42101 5-0-5А
точность 1,5; 2,5; 60х60х50
816.00 руб Купить |
 | BZX84C7V5
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 7.5 V
Купить |
