|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.
|
|
|
51.84
|
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.
|
ДИСК
|
|
|
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.
|
ГРАВИТОН
|
62
|
40.00
|
|
|
|
КВ104А |
|
Варикап кремниевый, диффузионно-сплавный, подстроечный, для применения в схемах ...
|
|
|
24.00
|
|
|
|
КВ104А |
|
Варикап кремниевый, диффузионно-сплавный, подстроечный, для применения в схемах ...
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
КВ104А |
|
Варикап кремниевый, диффузионно-сплавный, подстроечный, для применения в схемах ...
|
ХЕРСОН
|
35
|
60.00
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
|
1 139
|
1.05
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
ДНЕПР
|
800
|
2.14
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...
|
|
1 716
|
18.00
|
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
РЭС 15 РС4.591.004 |
|
|
|
86
|
64.00
|
|