| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
|
13 732
|
2.88
|
|
|
|
|
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
BM
|
|
|
|
|
|
|
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
|
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
NXU
|
|
|
|
|
|
|
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
NLT
|
|
|
|
|
|
|
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
RUICHI
|
2 380
|
4.89
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МЕЗОН КИШИНЁВ
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
|
1 416
|
51.00
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
СПЛАВ
|
1 360
|
69.86
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
2 455
|
28.00
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
13 143
|
32.00
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
842
|
10.15
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
808
|
13.26
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
7 312
|
12.40
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
