Версия для печати
Технические характеристики CD74HC86M

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	74HC
Логический тип	XOR (Exclusive OR)
Число входов	2
Число каналов	4
Ток выходной макс., мин.	5.2mA, 5.2mA
Напряжение питания	2 V ~ 6 V
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	14-SOIC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Вентили, инверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	6 513	5.47
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	13 401	4.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	992	2.95
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		9 080	1.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	58 856	1.88
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.14
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.47
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		AD603AR		Логарифмический операционный усилитель 90МГц, -11.31 dB	ANALOG DEVICES
		AD603AR		Логарифмический операционный усилитель 90МГц, -11.31 dB			891.44
		AD603AR		Логарифмический операционный усилитель 90МГц, -11.31 dB	ANALOG DEVICES	9
		AD603AR		Логарифмический операционный усилитель 90МГц, -11.31 dB	Analog Devices Inc
		AD603AR		Логарифмический операционный усилитель 90МГц, -11.31 dB	КИТАЙ
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIR
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRONICS
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	STMicroelectronics
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	МАРОККО
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMIC
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ИНДИЯ
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRO
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	STMICROELECTR
		MJE340		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...			24.72
		MMBD352LT1		Сдвоенный ограничительный диод шоттки	MOTOROLA
		MMBD352LT1		Сдвоенный ограничительный диод шоттки	ON SEMICONDUCTOR
		MMBD352LT1		Сдвоенный ограничительный диод шоттки	MOTOROLA	1 303
		MMBD352LT1		Сдвоенный ограничительный диод шоттки	ON SEMICONDUCTOR	2 420
		TOP223G			PWR
		TOP223G			PI
		TOP223G					222.92
		TOP223G			Power Integrations

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"