РГ08-10700КГЦ
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAV99BRW (0.3А 75В) | DIODES |
|
|
|||||
 |
 |
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | NXP |
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц |
|
4.20 | ||
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | KEMET |
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | NXP | 626 |
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | PHILIPS | 18 448 |
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | HOTTECH |
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц | JSCJ | 497 262 | 1.44 | |
 |
КП306Б | 59 | 140.80 | |||||
|
|
КП306Б | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП306Б | НОВОСИБИРСК |
|
|
||||
|
|
КП306Б | НОВОРОСИЙСК |
|
|
||||
 |
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... | 805 | 24.64 | |||
|
|
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... | ФОТОН | 638 | 30.00 | ||
 |
КП327А | 21 | 25.20 | |||||
|
|
КП327А | ВИННИЦА | 614 | 12.00 |
