|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC4053N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 2->1 Выход - 3 с
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC4053N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 2->1 Выход - 3 с
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC4053N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 2->1 Выход - 3 с
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC4053N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 2->1 Выход - 3 с
|
|
|
36.72
|
|
|
|
74HC4053N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 2->1 Выход - 3 с
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC4053N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 2->1 Выход - 3 с
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC4053N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 2->1 Выход - 3 с
|
NEX
|
|
|
|
|
|
74HC4053N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 2->1 Выход - 3 с
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
74HC4053N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 2->1 Выход - 3 с
|
PH/NXP
|
4
|
47.19
|
|
|
|
74HC4053N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 2->1 Выход - 3 с
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
591
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
18 049
|
2.44
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
19 254
|
3.36
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
512 535
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
57 726
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.66
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
12 149
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
161 947
|
1.03
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
79 200
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
EC24 4R7К 4.7/530 |
|
|
TW
|
|
|
|
|
|
EC24 4R7К 4.7/530 |
|
|
|
|
6.40
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
|
|
2.92
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
FAIRCHILD
|
1 863
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
США
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ONS
|
29 657
|
2.54
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
0.00
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
FRS
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
|
|
147.56
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
MOT
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
411
|
|
|