|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
INFINEON
|
26 620
|
38.70
|
|
|
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
|
3 316
|
31.85
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
332
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
32
|
|
|
|
|
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A
|
INFINEON
|
1 302
|
160.01
|
|
|
|
IRFB4321PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A
|
|
|
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
|
213
|
64.75
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
ONS
|
1 462
|
66.14
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MUR1620CTG |
|
Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
АЛ107А |
|
|
|
2 459
|
5.55
|
|
|
|
АЛ107А |
|
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
АЛ107А |
|
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
АЛ107А |
|
|
НИИПП ТОМСК
|
752
|
36.16
|
|