| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
74HC74 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
 |
 |
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
|
2
|
315.00
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS
|
72
|
61.49
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
84
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
|
6 605
|
4.05
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
9 120
|
13.44
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
4 189
|
25.76
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
13 250
|
31.50
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
1
|
12.53
|
|
|
|
|
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
Версия для печати
