DS1225AB-150
Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Объем памяти | 64K (8K x 8) |
| Скорость | 150ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Корпус (размер) | 28-DIP Module (600 mil), 28-EDIP |
| Корпус | 28-EDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
4049B | FAI/QTC |
|
|
||||
|
|
4049B |
|
34.00 | |||||
|
|
4050B |
|
Генератор испытательных импульсов | FAI/QTC |
|
|
||
|
|
4050B |
|
Генератор испытательных импульсов |
|
39.40 | |||
|
|
4050B |
|
Генератор испытательных импульсов | АКИП |
|
|
||
 |
|
ADM233LJN |
|
Интерфейс RS-232 120кБит/с С=1мкФ -40..+85C | ANALOG DEVICES |
|
|
|
|
|
|
ADM233LJN |
|
Интерфейс RS-232 120кБит/с С=1мкФ -40..+85C |
|
522.08 | ||
| LM2575D2T-5.0 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM2575D2T-5.0 |
|
170.16 | ||||||
 |
|
NE556N |
|
NEC |
|
|
||
|
|
|
NE556N |
|
ST MICROELECTRONICS | 266 | 48.45 | ||
|
|
|
NE556N |
|
|
33.68 | |||
|
|
|
NE556N |
|
ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
|
NE556N |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
NE556N |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
NE556N |
|
TEXAS INSTRUMENTS | 16 |
|
||
|
|
|
NE556N |
|
КИТАЙ |
|
|
||
|
|
|
NE556N |
|
ST MICROELECTR |
|
|
||
|
|
|
NE556N |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
NE556N |
|
ST1 |
|
|
||
|
|
|
NE556N |
|
ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
|
NE556N |
|
TEXAS INSTRUMEN |
|
|
