|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3224W-1-102E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)
|
BOURNS
|
3 144
|
128.59
|
|
|
|
3224W-1-102E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)
|
|
|
460.12
|
|
|
|
3224W-1-102E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3224W-1-102E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3224W-1-102E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
AD706AR |
|
2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD706AR |
|
2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 ...
|
|
64
|
334.40
|
|
|
|
AD706AR |
|
2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
ANALOG DEVICES
|
4
|
703.80
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
|
1 365
|
176.00
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
ANALOG DEVICES
|
96
|
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.77
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
2 320
|
7.87
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-075R11L |
|
|
Yageo
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-075R11L |
|
|
|
|
|
|