|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | QFET™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.8A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V |
Power - Max | 44W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
Корпус | TO-220F |
FQP6N60C 600V N-Channel MOSFET Также в этом файле: FQPF6N60C
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AN7551Z | MATSUSHITA | |||||||
AN7551Z | ||||||||
AN7551Z | MAT | |||||||
L9637D013TR | ST MICROELECTRONICS | |||||||
L9637D013TR | 165.80 | |||||||
L9637D013TR | ST MICROELECTRONICS SEMI | |||||||
L9637D013TR | STMicroelectronics | |||||||
L9637D013TR | КИТАЙ | |||||||
MMBF170LT1G | Транзистор | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
MMBF170LT1G | Транзистор | ONS | ||||||
MMBF170LT1G | Транзистор | 18.40 | ||||||
MMBF170LT1G | Транзистор | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
MMBF170LT1G | Транзистор | ON SEMIC | ||||||
MMBF170LT1G | Транзистор | ONS-FAIR | ||||||
MMBF170LT1G | Транзистор | VBSEMI | 5 504 | 4.69 | ||||
PC817 | Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V | SHARP | ||||||
PC817 | Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V | 4 | 19.36 | |||||
PC817 | Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V | SHARP | ||||||
PC817 | Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V | КИТАЙ | ||||||
PC817 | Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V | FAIRCHILD | ||||||
TDA8571J (CU) | Усилитель низкой частоты 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x40W, Gv=34dB | NXP | ||||||
TDA8571J (CU) | Усилитель низкой частоты 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x40W, Gv=34dB |
|