|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
Q TECH
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
FAIRCHILD
|
3
|
40.00
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
Q TECH INC.
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
QT OPTOELECTRONICS
|
20
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
ISOCOM COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
MOT
|
|
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
|
2
|
25.20
|
|
|
|
CNY17-1 |
|
Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%
|
QTC
|
10
|
40.00
|
|
|
|
IRF640NS |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640NS |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
|
72.12
|
|
|
|
IRF640NS |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640NS |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF640NS |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
|
|
288.00
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
YJ
|
97 032
|
32.91
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
---
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
LGE
|
960
|
29.52
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
PANJIT
|
1 116
|
52.34
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
KLS
|
4 137
|
56.18
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
DIOTEC
|
1 600
|
82.17
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
|
|
540.00
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
VISHAY
|
192
|
472.32
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
4 518
|
35.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
9 680
|
42.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 800
|
80.69
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|