|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 166 mOhm @ 7.2A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 775pF @ 25V |
Power - Max | 80W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRL3215 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CF-0.125-3.0K 5% | Резистор углеродистый | CHINA | ||||||
CF-0.125-3.0K 5% | Резистор углеродистый |
1.32 >500 шт. 0.44 |
||||||
CF-0.125-30 5% | Резистор углеродистый | CHINA | ||||||
CF-0.125-30 5% | Резистор углеродистый |
0.84 >500 шт. 0.28 |
||||||
К514ИД1 | 2 | 440.00 | ||||||
К514ИД1 | ДНЕПР | |||||||
К514ИД1 | 2 | 440.00 | ||||||
К514ИД1 | ОПТРОН | |||||||
КТ315Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | 2 675 | 4.38 | |||||
КТ315Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | МИНСК | ||||||
РП10-15 П-О РОЗЕТКА | 40.00 | |||||||
РП10-15 П-О РОЗЕТКА | КОМ 5 | |||||||
РП10-15 П-О РОЗЕТКА | СНЕЖЕТЬ | |||||||
РП10-15 П-О РОЗЕТКА | РОССИЯ |
|