|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 11A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRLZ24N (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLZ34N | Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRLZ34N | Транзистор полевой | PHILIPS | ||||||
IRLZ34N | Транзистор полевой | 68.20 | ||||||
IRLZ34N | Транзистор полевой | PHILIPS | 232 | |||||
IRLZ34N | Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER | 22 | |||||
IRLZ34N | Транзистор полевой | INFINEON | ||||||
IRLZ34N | Транзистор полевой | VISHAY | ||||||
IRLZ34N | Транзистор полевой | EVVO | 1 414 | 33.88 | ||||
PLS-20R (ШАГ 2.54 ММ) | ||||||||
К514ИД1 | 2 | 440.00 | ||||||
К514ИД1 | ДНЕПР | |||||||
К514ИД1 | 2 | 440.00 | ||||||
К514ИД1 | ОПТРОН | |||||||
КТ808АМ | Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | 28 | 535.50 | |||||
КТ808АМ | Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | КРИСТАЛЛ | ||||||
КТ808АМ | Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | УЛЬЯНОВСК | ||||||
КТ808АМ | Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | ФРЯЗИНО | ||||||
ПЛАТА МАКЕТНАЯ D3 | 608.00 | |||||||
ПЛАТА МАКЕТНАЯ D3 | УДАЛЕНО |
|