IRF7901D1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7901D1		236.00

Версия для печати

Технические характеристики IRF7901D1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	FETKY™
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	780pF @ 16V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7901D1 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7901D1 datasheet
428.4 Кб