PMN34UN
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Power - Max | 1.75W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-74, SOT-457 |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PMN34UN (Мощные полевые МОП транзисторы) and#181;TrenchMOSTM ultra low level FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
74LVC161PW | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
74LVC161PW |
|
160.00 | |||||
|
|
BZV55-B5V6 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2% | PHILIPS |
|
|
||
|
|
BZV55-B5V6 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2% | NXP |
|
|
||
|
|
BZV55-B5V6 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2% | NXP |
|
|
||
|
|
BZV55-B5V6 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2% | PHILIPS |
|
|
||
|
|
BZV55-C11 | NXP |
|
|
||||
|
|
BZV55-C11 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZV55-C11 | DC COMPONENTS | 43 343 | 1.05 | ||||
|
|
BZV55-C11 | NXP |
|
|
||||
|
|
BZV55-C11 | PHILIPS | 32 022 |
|
||||
|
|
BZV55-C11 |
|
|
|||||
|
|
BZV55-C11 | EIC |
|
|
||||
| BZV55-C6V2 | DC COMPONENTS | 8 562 | 2.02 | |||||
| BZV55-C6V2 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-C6V2 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZV55-C6V2 | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| BZV55-C6V2 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-C6V2 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZV55-C6V2 | KINGTRON |
|
|
|||||
| BZV55-C6V2 |
|
|
||||||
| RCH895NP-680K | SUMIDA |
|
|
|||||
| RCH895NP-680K |
|
|
