PMN34UN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PMN34UN		94.40

Версия для печати

Технические характеристики PMN34UN

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	790pF @ 25V
Power - Max	1.75W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-74, SOT-457
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PMN34UN (Мощные полевые МОП транзисторы)

and#181;TrenchMOSTM ultra low level FET

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PMN34UN datasheet
217.93Kb
12стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-B5V6	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2%	PHILIPS
BZV55-B5V6	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2%	NXP
BZV55-B5V6	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2%	NXP
BZV55-B5V6	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=5.6V, Izt=5mA tol=2%	PHILIPS
BZV55-C11		NXP
BZV55-C11		PHILIPS
BZV55-C11		DC COMPONENTS	43 391	1.46
BZV55-C11		NXP
BZV55-C11		PHILIPS	32 022
BZV55-C11
BZV55-C11		EIC
BZV55-C6V2		DC COMPONENTS	14 634	2.39
BZV55-C6V2		NXP
BZV55-C6V2		PHILIPS
BZV55-C6V2		DC COMPONENTS
BZV55-C6V2		NXP
BZV55-C6V2		PHILIPS
BZV55-C6V2		KINGTRON
BZV55-C6V2
RCH895NP-470K		SUMIDA
RCH895NP-470K				44.96
RCH895NP-680K		SUMIDA
RCH895NP-680K