1N5357B

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
1N5357B	70	33.30
1N5357B (MOTOROLA.)	171	3-4 недели Цена по запросу
1N5357B (ON SEMICONDUCTOR.)	272	3-4 недели Цена по запросу
1N5357B (SUNMATE)	36	10.73

Версия для печати

Технические характеристики 1N5357B

Тип монтажа	Выводной
Impedance (Max) (Zzt)	3 Ohm
Power - Max	5W
Допустимые отклонения емкости	±5%
Current - Reverse Leakage @ Vr	500nA @ 14.4V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 1A
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	20V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C
Корпус	T-18
Корпус (размер)	T-18, Axial
Tolerance	±5%
Product Change Notification	Specification Update Storage Temp Range 14/Aug/2008
Серия	Surmetic™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

1N53xxB

5 Watt SurmeticE 40 Zener Voltage Regulators

Также в этом файле: 1N5357B

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

1N5357B datasheet
67.06Kb
8стр.

Синонимы от поставщиков: 1N5357B ; 1N-5357B ; 1N 5357B ; 1N — 5357B ; 1N5357B ; диод 1N5357B ;

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм			6.00
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTRON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	HSUAN MAO
DIP8-S-M		NELTON
DIP8-S-M		NELTRON
DIP8-S-M
DIP8-S-M		HSUAN MAO
IR2153PBF	Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR2153PBF	Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON	3 832	80.59
IR2153PBF	Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		444	72.68
IR21531STRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IR21531STRPBF		INFINEON	7 556	144.65
IR21531STRPBF			1 952	96.49
UC2823DW		TEXAS INSTRUMENTS
UC2823DW				467.88
UC2823DW		TEXAS