|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
|
8
|
97.20
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
ISC
|
802
|
57.36
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
|
2 262
|
40.95
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
СТАРТ
|
7
|
32.47
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
64
|
40.00
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
АЛ307ДМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные, желтый
|
|
2 711
|
4.38
|
|
|
|
АЛ307ДМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные, желтый
|
СТАРТ
|
106
|
16.00
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
|
|
37.48
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВСК
|
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ 3107 А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|