|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MSIS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
TAITRON COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
DC COMPONENTS
|
10 553
|
5.37
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MSIS SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
TAITRON COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MOTOROLA
|
121
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
|
149
|
14.40
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MIC
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
SUNTAN
|
1 529
|
7.56
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
1
|
|
|
|
|
|
6Н16Б-В |
|
Двойной сверхминиатюрный триод повышенной надежности и механической прочности для ...
|
|
1
|
176.00
|
|
|
|
6Н16Б-В |
|
Двойной сверхминиатюрный триод повышенной надежности и механической прочности для ...
|
МОСКВА
|
|
|
|
|
|
6Н16Б-В |
|
Двойной сверхминиатюрный триод повышенной надежности и механической прочности для ...
|
ОРЕЛ
|
4
|
300.00
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
|
|
|
|
|
Б19К-2-150 5% |
|
|
|
|
25.00
|
|
|
|
К73-17 250В 0.22МКФ 10% |
|
|
СКЗ
|
|
|
|
|
|
К73-17 250В 0.22МКФ 10% |
|
|
|
|
|
|