Версия для печати
Технические характеристики К78-31-1000-1000 10%

Тип	Пленочный
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Radial
Серия	К78-31
Емкость	1000 пФ
Номинальное напряжение	1000 В

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

КОНДЕНСАТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		16K1 F 250K				880	15.34
		16K1 F 250K			RUICHI
		16K1 F 50K				544	15.42
		16K1 F 50K			RUICHI
		16K1 F 50K				544	15.42
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 296	15.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	6 875	12.30
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	4 044	10.26
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	VISHAY
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	ВЗПП
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А			65.32
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	Vishay/Siliconix
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	STMicroelectronics
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	КИТАЙ
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INFINEON	12	47.46
		К78-2-315-0.01 10%		Плёночный конденсатор 0.01 мкФ 315 В			15.52
		К78-2-315-0.01 10%		Плёночный конденсатор 0.01 мкФ 315 В	ПОЛИКОНД

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"