|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
К174УН7 |
1 |
64.80
|
|
Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом. Аналог микросхемы TBA810AS и LA4420 (функциональный аналог). Микросхема предназначена для применения в телевизионной аппаратуре. Содержит 41 интегральный элемент. Конструктивно оформлена в корпусе типа 201.12.-1, 238.12-2. Масса не более 2,0 и 2,5гр соответственно (ТУ 1986г.). Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса выше 60°С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формулеР=(150-Ткорп)/20, Вт (с теплоотводом), где Ткорп - температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы. Допускается кратковременное (в течении 3 мин) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 5, 6 и 12 микросхемы недопустима. Выходное сопротивление источника питания должно быть не более 0,05 Ом. Электрические параметры 1 Номинальное напряжение питания 15 В ± 10% 2 Выходное напряжение при Uп = 15 В, fвх = 1 кГц 2,6…5,5 В 3 Максимальное входное напряжение при Uп = 15 В, Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Рвых = 2,5 Вт 30…70 мВ 4 Ток потребления при Uп = 15 В 5…20 мА 5 Выходная мощность при Rн = 4 Ома 4,5 Вт 6 Коэффициент гармоник при Uп = 15 В, fвх = 1 кГц: Uвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт > 10 % Uвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт > 2 % Uвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт > 2 % 7 Коэффициент усиления по напряжению при Т= -10…+55°С 45 8 Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц 30 кОм 9 Диапазон рабочих частот 40…20 000 Гц 10 Коэффициент полезного действия при Pвых = 4,5 Вт 50 %
Предельно допустимые режимы эксплуатации 1 Напряжение питания 13,5…16,5 В 2 Амплитуда входного напряжения > 2,0В 3 Постоянное напряжение: на выводе 7 > 15 В на выводе 8 0,3…2,0 В 4 Сопротивление нагрузки 4 Ом 5 Тепловое сопротивление: кристалл-корпус кристалл-среда 20°С/Вт 100°С/Вт 6 Температура окружающей среды -10…+55°С 7 Температура кристалла + 85 °С
|