|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
|
|
29.68
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
|
80
|
265.20
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
6
|
88.56
|
|
|
|
К511ТВ1 |
|
(H110) (1990-97г)
|
|
5 075
|
10.00
|
|
|
|
К511ТВ1 |
|
(H110) (1990-97г)
|
ИЗОТРОН
|
281
|
10.00
|
|
|
|
К511ТВ1 |
|
(H110) (1990-97г)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К511ТВ1 |
|
(H110) (1990-97г)
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
|
2 480
|
40.80
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
РИГА
|
1 200
|
16.00
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
873
|
28.00
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
30.60
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
990
|
30.00
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
4 680
|
12.00
|
|