| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
BZV55-C27 |
|
|
DC COMPONENTS
|
42 546
|
2.38
|
|
|
|
|
BZV55-C27 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C27 |
|
|
PHILIPS
|
2 397
|
2.11
|
|
|
|
|
BZV55-C27 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C27 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C27 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C27 |
|
|
PHI
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C36.115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C36.115 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C36.115 |
|
|
|
|
|
|
 |
|
ECAP 2200/10V 1021 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/10V 1021 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С
|
|
|
28.80
|
|
|
|
|
ECAP 2200/10V 1021 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/10V 1021 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С
|
JB
|
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
|
2
|
604.80
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
204
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
EVVO
|
9 417
|
17.26
|
|
|
|
|
MJE13009G |
|
Транзистор биполярный
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009G |
|
Транзистор биполярный
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009G |
|
Транзистор биполярный
|
|
|
129.20
|
|
|
|
|
MJE13009G |
|
Транзистор биполярный
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
Версия для печати
