| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
DC COMPONENTS
|
1 756
|
61.85
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
|
|
60.44
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
YJ
|
9 953
|
34.51
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
HOTTECH
|
1 077
|
31.64
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
YANGJIE
|
1 280
|
30.40
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
RUME
|
6 400
|
22.33
|
|
|
|
|
KSD-90 90C 10A (B-1002) |
|
|
|
4 576
|
25.34
|
|
|
|
|
KSD-90 90C 10A (B-1002) |
|
|
|
4 576
|
25.34
|
|
|
|
|
KSD-90 90C 10A (B-1002) |
|
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
|
1
|
206.40
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
156
|
112.20
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
|
49
|
315.00
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
48
|
1 071.00
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
899
|
440.00
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
|
85
|
51.00
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
86.70
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
Версия для печати
