MC10EP11DR2
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
MC10EP11DR2 (ON SEMICONDUCTOR.) |
3 636 |
3-4 недели Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики MC10EP11DR2
Корпус | 8-SOICN |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение питания | 3 V ~ 5.5 V |
Частота -макс. | 3GHz |
Выход | ECL, PECL |
Вход | ECL, PECL |
Differential - Input:Output | Yes/Yes |
Ratio - Input:Output | 1:2 |
Число каналов | 1 |
Тип | Fanout Buffer (Distribution) |
Серия | 10EP |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.