PDTA114EE
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
| Корпус | SOT-416 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PDTA114EEF (Универсальные биполярные PNP транзисторы) PNP resistor-equipped transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAR63-02VE6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BAR63-02VE6327 |
|
27.20 | ||||||
| BAR63-02VE6327 | INFINEON |
|
|
|||||
 |
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | NSC |
|
|
||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 |
|
158.28 | |||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | ВЕЛИКОБРИТАНИЯ |
|
|
||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | TEXAS |
|
|
||
| PDTA114EU.115 | NXP |
|
|
|||||
| PDTA114EU.115 | NEX-NXP |
|
|
|||||
|
|
PDTC124ET | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
PDTC124ET | NXP |
|
|
||||
|
|
PDTC124ET | 1 | 18.00 | |||||
|
|
PDTC124ET | NXP | 1 601 |
|
||||
|
|
PDTC124ET | PHILIPS | 17 454 |
|
||||
|
|
PDTC124ET | 1 |
|
|
||||
| PDTC124TT | NXP |
|
|
|||||
| PDTC124TT |
|
2.36 |
