RC0402JR-071RL
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | RC0402 |
| Сопротивление (Ом) | 1 |
| Мощность (Ватт) | 0.063W, 1/16W |
| Composition | Thick Film |
| Температурный коэфициент | ±200ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Size / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Высота | 0.016" (0.40mm) |
| Number of Terminations | 2 |
| Корпус (размер) | 0402 (1005 Metric) |
| Tolerance | ±5% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LM2731YMF | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM2731YMF | 144 | 218.30 | |||||
|
|
LM2731YMF | NSC | 3 | 83.49 | ||||
|
|
LM2731YMF | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM2731YMF | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||||
|
|
LM2731YMF | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM2731YMF | TEXAS |
|
|
||||
| RC0402JR-075K1L | YAGEO | 255 897 |
0.60 >1000 шт. 0.12 |
|||||
| RC0402JR-075K1L |
|
28.52 | ||||||
| RC0402JR-075K1L | YAGEO | 6 400 |
|
|||||
| RC0805FR-073K01L | YAGEO | 105 997 |
0.75 >1000 шт. 0.15 |
|||||
| RC0805FR-073K01L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0805FR-073K01L |
|
|
||||||
| TDA2030 TO220-5 |
|
|
||||||
 |
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц | ST MICROELECTRONICS | 199 | 314.29 | |
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц | 1 | 572.04 | ||
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц | STMICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц | СИНГАПУР |
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц | ST1 |
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц | ST MICROELECTRO |
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц | 1 |
|
|
