Версия для печати
Технические характеристики AT28C16-15SC

Корпус	24-SOIC W
Корпус (размер)	24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	Parallel
Тип памяти	EEPROM
Объем памяти	16K (2K x 8)
Скорость	150ns
Формат памяти	EEPROMs - Parallel
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74AC4520D
		74AC4520D
		KPC354NT0B			COSMO
		KPC354NT0B
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	ST MICROELECTRONICS	19 952	52.27
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	NSC
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	STMicroelectronics
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	СИНГАПУР
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	TEXAS
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	NS
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	ST MICROELECTRO
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...		1 053	43.33
		LM335Z		Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	1
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS	5 285	13.43
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		10 516	7.96
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMEN
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXASINSTRUMENTS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	0.00
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	YOUTAI	74 908	4.22
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TI (TEXAS INSTRUMENTS)	16 000	11 304.85
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UMW	2 640	6.20
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UMW-YOUTAI
		UC3845BD1			SGS
		UC3845BD1			ST MICROELECTRONICS	800	35.91
		UC3845BD1					60.52
		UC3845BD1			SGS THOMSON
		UC3845BD1			ST MICROELECTRONICS SEMI	24
		UC3845BD1			STMicroelectronics
		UC3845BD1			ON Semiconductor
		UC3845BD1			STMICROELECTRO
		UC3845BD1			1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"