Версия для печати
Технические характеристики AT28C64-20PI

Корпус	28-PDIP
Корпус (размер)	28-DIP (0.600", 15.24mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	Parallel
Скорость	200ns
Объем памяти	64K (8K x 8)
Тип памяти	EEPROM
Формат памяти	EEPROMs - Parallel
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AT28C256-15PI		(PU) (EEPROM 32kx8) IndPDIP28	ATMEL
		AT28C256-15PI		(PU) (EEPROM 32kx8) IndPDIP28			640.00
		DIP40-W		Панель DIP-40W с плоскими контактами, шаг 2,54 мм.			14.00
		DIP40-W		Панель DIP-40W с плоскими контактами, шаг 2,54 мм.	HSUAN MAO
		IRFZ48NPBF		Полевой транзистор N-Канальный 55V 53A 94W 0,016R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ48NPBF		Полевой транзистор N-Канальный 55V 53A 94W 0,016R	INTERNATIONAL RECTIFIER	59
		IRFZ48NPBF		Полевой транзистор N-Канальный 55V 53A 94W 0,016R	INFINEON	1	51.17
		IRFZ48NPBF		Полевой транзистор N-Канальный 55V 53A 94W 0,016R
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	408	472.32
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс		1	302.40
		Z80A (4МГЦ)		Микропроцессор 4МГц
		Z80A (4МГЦ)		Микропроцессор 4МГц	GOLD STAR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"