Мощность рассеяния,Вт | 1 |
Минимальное напряжение стабилизации,В | 21 |
Номинальное напряжение стабилизации,В | 22 |
Максимальное напряжение стабилизации,В | 23 |
Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
при токе I ст,мА | 5 |
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.1 |
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 37 |
Рабочая температура,С | -60...125 |
Способ монтажа | в отверстие |
Корпус | kd-3a |
Производитель | Россия |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805 0,1МКФ Y5V 50В |
|
Керамический многослойный изолированный конденсатор 0805, 0,1МКФ, Y5V, 50В
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.27
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
10 488
|
1.74
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
2.30
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
7 354
|
2.12
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
BC850B |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450
|
|
111
|
6.00
|
|
|
|
BC850B |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC850B |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC850B |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC850B |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC850B |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC850B |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC850B |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450
|
NXP
|
1 877
|
|
|
|
|
BC850B |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC850B |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BC850B |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450
|
SEMTECH
|
256
|
2.20
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
DC COMPONENTS
|
281
|
15.38
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
|
2 357
|
4.34
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
YJ
|
4 140
|
6.16
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
ST MICROELECTRONICS
|
108
|
70.00
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
SGS
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
|
|
2 346.52
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|