BFG67/X
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Power - Max | 380mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-253-4, TO-253AA |
| Корпус | SOT-143B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BFG67/X (Радиочастотные биполярные транзисторы) NPN 8 GHz wideband transistors Также в этом файле: BFG67/X, BFG67/XR, BFG67/XR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | BOURNS | 235 |
|
||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом |
|
|
|||
 |
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом |
|
|
|||
| CECL-1200/96 122K |
|
7.80 | ||||||
| CECL-1200/96 122K | R6 |
|
|
|||||
 |
 |
GRM188R71C224KA01D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
MURATA |
|
|
||
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
MUR | 5 699 | 1.69 | ||
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
|
|
|||
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
MURATA | 6 800 | 10.03 | ||
| SDR0503-153JL |
|
31.88 | ||||||
| SDR0503-153JL | BOURNS |
|
|
