STB6NK60Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STB6NK60Z		119.92

Версия для печати

Технические характеристики STB6NK60Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	905pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус	I2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB6NK60Z (MOSFET)

N-channel 600 V - 1 ? - 6 A - D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB6NK60Z datasheet
443 Кб