STB80NF10


N-channel 100v - 0.012? - 80a - d2pak low gate charge stripfet™ ii power mosfet

Купить STB80NF10 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STB80NF10
Версия для печати

Технические характеристики STB80NF10

Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 40A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияSTripFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs182nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5500pF @ 25V
Power - Max300W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB80NF10 (MOSFET)

N-channel 100V - 0.012? - 80A - D2PAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB80NF10 datasheet
316 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход