Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BF244A			FAIR
		BF244A			FAIRCHILD
		BF244A			FAIRCHILD
		BF244A			Fairchild Semiconductor

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	2 513	2.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	16 763	1.91
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC	123 009	1.84  >100 шт.   0.92
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	337
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	OTHER	1 165
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	552
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	MCC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)			3.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON	59
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	268	2.14
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	LRC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	278 492	1.60  >100 шт.   0.80
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	KLS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	WUXI XUYANG
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	0.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	YJ	447 514	1.66  >100 шт.   0.83
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	54 974	1.84  >100 шт.   0.92
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SUNTAN	341	1.36
		C8051F410-GQR			SILAB
		C8051F410-GQR			SLAB
		C8051F410-GQR				12	382.03
		C8051F410-GQR			SILICON LABS
		C8051F410-GQR			SILICON LABS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 880	4.03
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	211 073	3.27
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	25 745	5.77
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	147 151	3.20
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	8 800	2.95
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	31 407	9.67
		MAX809TEURT			MAXIM
		MAX809TEURT
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		776	10.50
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ	800	13.26
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	2 118	12.00
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ	1	25.81

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"