ГТ311Е
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА |
|
4.80 | ||
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | ЭЛЕКС |
|
|
|
| ГТ311Ж | 16 | 82.80 | ||||||
| ГТ311Ж | КВАЗАР |
|
|
|||||
| К122УН1Г |
|
135.72 | ||||||
| К122УН1Г | РЕФЛЕКТОР |
|
|
|||||
 |
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | 151 | 12.32 | ||
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | ПЛАНЕТА |
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | РОССИЯ |
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ... | МОСКВА |
|
|
|
| П416Б | 4 396 | 20.74 | ||||||
| П416Б | НАЛЬЧИК |
|
|
|||||
| П416Б | НАЧАЛЬНИК |
|
|
