Версия для печати
Технические характеристики КП809А2

Структура	N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	400
Максимальный ток стока Ic макс при 25С, мА	25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	0.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт	100
Крутизна характеристики S,мА/В	1500

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOSHIBA	26	168.30
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)		1	484.80
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOS
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	UNKNOWN
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	КИТАЙ
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	NSC
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	ISCSEMI
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц		3	171.60
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	SANYO
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	SAN
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	UNKNOWN
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	NO TRADEMARK
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	ISCSEMI
		BC857C/T1					4.64
		BC857C/T1			NXP
		BC857C/T1			NEXPERIA
		КП812А1					140.20
		КП812А1			ВОРОНЕЖ
		КТ898А1		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ...		1	343.20
		КТ898А1		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ...	КРЕМНИЙ	26	265.20
		КТ898А1		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ...	БРЯНСК	235	272.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"