IRLR2905Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLR2905Z (EVVO)	4 558	12.28
IRLR2905Z		116.40

Версия для печати

Технические характеристики IRLR2905Z

Power - Max	110W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1570pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	42A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 36A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR2905Z (Мощные полевые МОП транзисторы)

Automotive Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLR2905Z datasheet
216.89Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
227M025V 220UF 25V 20% E
CD4001BM96		TEXAS INSTRUMENTS
CD4001BM96			4	34.02
CD4001BM96		TEXAS	438	26.50
IRLR2905	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	58.59
IRLR2905	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...		1 080	21.76
IRLR2905	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...	МЕКСИКА
IRLR2905	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...	INFINEON
MC14049BDR2G		ON SEMICONDUCTOR
MC14049BDR2G		ONS
MC14049BDR2G				17.96
W91314		WINBOND
W91314				339.60
W91314		WIN