КТ502Е

Транзисторы КТ502Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.

Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 90
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 70
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 5.00
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.35