|
Производитель | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Допуск емкости | ±10% |
Номинальное постоянное напряжение | 1 кВ |
Тип диэлектрика | X7R |
Рабочая температура | -55...125 °C |
Tin Plated Layer | |
Размер | 4.5x3.2x2.0 |
Температурный коэфициент | X7R |
Номинальное напряжение | 1 кВ |
Емкость | 0.047 мкФ |
Серия | GRM |
Корпус (размер) | 1812 |
Тип | Керамический |
Тип монтажа | Поверхностный |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Допустимые отклонения емкости | ±10% |
Tolerance | ±10% |
Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
Сфера применения | General Purpose |
Size / Dimension | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Thickness | 0.087" (2.20mm) |
Возможности | High Voltage |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0603-1.0М 5% | ЧИП — резистор | FAITHFUL LINK | ||||||
0603-1.0М 5% | ЧИП — резистор |
1.52 >100 шт. 0.76 |
||||||
DE475-102N21A | IXYS | |||||||
DE475-102N21A | ||||||||
HGTG27N120BN | 72A/1200В N- | FAIR | ||||||
HGTG27N120BN | 72A/1200В N- | INTERSIL | ||||||
HGTG27N120BN | 72A/1200В N- | FSC | ||||||
HGTG27N120BN | 72A/1200В N- | 2 400.00 | ||||||
HGTG27N120BN | 72A/1200В N- | INTERSIL | ||||||
HGTG27N120BN | 72A/1200В N- | Fairchild Semiconductor | ||||||
HGTG27N120BN | 72A/1200В N- | ONS | ||||||
IXRFD630 | IXYS | |||||||
IXRFD630 | ||||||||
SN74LVC2G08DCTR | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
SN74LVC2G08DCTR | 2 114 | 28.72 | ||||||
SN74LVC2G08DCTR | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
SN74LVC2G08DCTR | TEXAS |
|