Версия для печати
Технические характеристики DS1250AB-70IND
| Корпус | 32-EDIP |
| Корпус (размер) | 32-DIP Module (600 mil), 32-EDIP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Скорость | 70ns |
| Объем памяти | 4M (512K x 8) |
| Тип памяти | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Формат памяти | RAM |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
