|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3903 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3903 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N3903 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3903 |
|
|
FAIRCHILD
|
52
|
|
|
|
|
2N3903 |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3903 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N3903 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N4400 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N4400 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N4400 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4400 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4400 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4400 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N4400 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2SC1317 |
|
Биполярный транзистор NPN 30V, 0.5A, 0.625W, 200MHz, B=85-340
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
2SC1317 |
|
Биполярный транзистор NPN 30V, 0.5A, 0.625W, 200MHz, B=85-340
|
|
|
6.76
|
|
|
|
2SC1317 |
|
Биполярный транзистор NPN 30V, 0.5A, 0.625W, 200MHz, B=85-340
|
PAN
|
|
|
|
|
|
2SC1317 |
|
Биполярный транзистор NPN 30V, 0.5A, 0.625W, 200MHz, B=85-340
|
MAT
|
|
|
|
|
|
2SC1317 |
|
Биполярный транзистор NPN 30V, 0.5A, 0.625W, 200MHz, B=85-340
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2SC1846 |
|
Биполярный транзистор
|
|
|
40.60
|
|
|
|
2SC815 |
|
Биполярный транзистор
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2SC815 |
|
Биполярный транзистор
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2SC815 |
|
Биполярный транзистор
|
|
23
|
25.20
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
|
|
7.24
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
48
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
КТ645Б |
|
|
|
10 712
|
6.00
|
|
|
|
КТ645Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ645Б |
|
|
БРЯНСК
|
700
|
6.00
|
|
|
|
КТ645Б |
|
|
МИНСК
|
4 308
|
4.00
|
|
|
|
КТ645Б |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ645Б |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 176
|
12.75
|
|
|
|
КТ645Б |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ660А |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ660А |
|
|
|
828
|
15.30
|
|
|
|
КТ660А |
|
|
МИНСК
|
681
|
12.00
|
|
|
|
КТ660А |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ660А |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ660А |
|
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ660А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ660А |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ660А |
|
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
|
3 266
|
5.10
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
СЗТП
|
277
|
11.81
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
РОССИЯ
|
62
|
4.41
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
|
147
|
7.53
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
МИНСК
|
5 611
|
6.00
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
17.85
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
48.45
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
662
|
31.50
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
|
1 585
|
29.75
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
КРЕМНИЙ
|
1 904
|
50.18
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
БРЯНСК
|
8 560
|
36.00
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
МИНСК
|
3 502
|
34.00
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
4 838
|
35.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
9 680
|
42.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
720
|
80.69
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|